原子层沉积技术

原理及特点

原子层沉积(ALD)是一种基于气态前驱体在沉积表面发生化学吸附的纳米薄膜沉积技术,通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。该方法对基材不设限,尤其适用于具有高深宽比或复杂三维结构的基材。采用ALD制备的薄膜具有高致密性(无针孔)、高保形性及大面积均匀性等优异性能,这对薄膜的使用具有重要的实际意义。


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