原子层沉积技术助力新一代高性能储能器件研究

原子层沉积(ALD, Atomic layer deposition)技术, 是指将被沉积物质以单原子。它利用饱和化学吸附的特性,可以确保对大面积、多孔、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形均匀沉积,是一种真正的“纳米”技术。相比于传统的沉积方法,ALD技术具有如下特点

(1)  沉积具有自限性(self-limiting),厚度可以精确控制,达到Å数量级;

(2)  可沿众多不规则表面均匀附着厚度均匀的薄膜;

(3)  沉积温度较低,适用于许多热稳定性不佳的物质的沉积(如有机物)。

(4)  沉积薄膜化学、物理、机械性能的可调控性

         

基于以上优点,近年来ALD技术在能源领域的应用逐渐增多(ACS Energy Letters, 2018, 3, 899-914),报道侧重于ALD控制膜均匀性的特点研究,并将其应用于液态及全固态电解液电池(特别是电极/电解液界面的修饰和控制),攻克了二次电池领域的诸多难题,展示了巨大的应用潜力,为未来研发高性能电池器件提供重要的参考和指导,指明了前进的方向。