• 技术推动进步,研发成就未来

       ————— 原速科技

  • 材料研发中心

            原子层沉积(ALD)技术在微电子、光电子、光学、纳米技术、微机械系统、能源、催化、生物医用、显示器、耐腐蚀及密封涂层等领域的研究方兴未艾,呈现爆发式增长。原速科技创建材料研发中心,目的是为广大客户提供设备加薄膜开发一站式服务,也希望通过我们的努力全面推广ALD技术,为国家科研发展贡献自己的绵薄之力。

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           材料研发中心基于原速自主开发的Exploiter系列设备研发了多种ALD薄膜,包括金属氧化物、金属氮化物、导电薄膜等。
            其中金属氧化物已被广泛应用,以下展示了部分金属氧化物薄膜不均匀性数据,数据均是实际研发获取。
     
          数据解析
    • 测量仪器:椭偏仪 
    • 镀膜设备:Exploiter E200系列
    • 8英寸硅片均匀分布9点测量
    • 不均匀性 = 标准偏差 / 平均厚度
  • 粉体包裹原子层沉积系统

       材料研发中心针对原子层沉积技术在粉体表面包裹纳米薄膜做了许多探索。值得开心的是,基于原速自主开发的PA系列,研发中心已取得阶段性成功。我们可以通过下述TEM图清楚的观察到氧化硅粉体表面均匀包裹了一层致密的TiO2纳米薄膜。
  • ALD最经典案例——氧化铝的制备及表征

    • 反应原理:2Al(CH3)3 (g) + 3H2O (g)→ Al2O3 (S) + 6CH4 (g)
    • TMA与基底表面羟基基团的作用,形成表面Al-O-Al的桥氧键,H2O与桥氧键进行反应,形成Al2O3,释放出甲烷
    • 数据为材料研发中心实际研发获取

    Al2O3温度窗口及不均匀性

    Al2O3 9点膜厚分布

  • 氧化铝表征数据

    AFM RMS: 0.293nm

    截面 SEM
    TEM
    致密Al2O3薄膜   不定形态
  • 常见问题解答

    联系我们,为您解答原子层沉积技术由设备到工艺,由研发到生产的全方位难题!

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